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元件参数资料
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参数目录41979
> IXFB60N80P MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264
型号:
IXFB60N80P
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
IXYS
描述:
MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IXFB60N80P PDF
标准包装
25
系列
PolarHV™ HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
60A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
140 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
5V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
250nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
18000pF @ 25V
功率 - 最大
1250W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-264-3,TO-264AA
供应商设备封装
PLUS264?
包装
管件
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